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Intel扩建厂房安装ASML下代最先进EUV光刻机:“2nm”工艺提前投产

来源:快科技 浏览:780次 时间:2022-04-25

  今年3月份,Intel CEO帕特基辛格(Pat Gelsinger)曾在投资交流活动中透露,Intel 18A工艺将比原定时间提前半年投产,现在Intel正用实际行动践行着承诺。

  本周,Intel在位于美国俄勒冈的D1X工厂举办隆重的Mod3扩建仪式,并将此地命名为戈登摩尔公园(Gordon Moore Park)。

  Mod3的说法类似于我们游戏中所谓的Mod,也就是模块,实际上,这是Intel为D1X工厂打的第三个MOD“补丁”,也是第二次扩建,投资高达30亿美元。

  D1X-Mod3的主要工作实际上从去年8月份就开始了,其重大意义在于,为工厂增加了2.5万平米的洁净室空间,将D1X扩大了20%,这便为最终足以搬进ASML的下一代最先进高数值孔径(High NA)EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200 EUV创造必要条件。

  和服务Intel 3/4工艺的NXE 3000系列EUV光刻机相比,EXE 5200大了很多,突破了D1X原“天花板”。

  回到18A工艺制程,提速后,最快可以在2024年三季度登场。

  关于18A,简单解释下。其实按照Intel之前多年“老实”的命名习惯,其对应5nm+。但由于对手台积电、三星早就破坏了晶体管尺度定义规范,Intel索性也下场“肉搏”了。外界倾向于认为,18A对应18埃米,也就是1.8nm,对标的是台积电2nm。

  修订后的Intel最新工艺路线图如下:

  可以看到,今年开始到2024年,Intel的制程迭代将会非常紧凑,下半年会有第一代大规模使用EUV的Intel 4(原7nm),明年下半年则是最后一代FinFET晶体管的Intel 3(原7nm+)。

  2024年会全面进入基于环绕栅极晶体管技术的RibbonFET晶体管时代,同时还有Intel独创的PowerVia背面电路,首发是Intel 20A(原5nm),名义2nm。

  Intel新老工艺命名及指标整理,供参考

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